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IPB035N08N3 G /MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB035N08N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:117 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:79 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:23 ns

零件号别名:IPB035N08N3GATMA1 IPB35N8N3GXT SP000457588

单位重量:2 g

供应商IPB035N08N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB035N08N3 G华强广场C座18J0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司IPB035N08N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPB035N08N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市博浩通科技有限公司IPB035N08N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB035N08N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司IPB035N08N3 G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPB035N08N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城IPB035N08N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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19854773352
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深圳诚思涵科技有限公司IPB035N08N3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB035N08N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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IPB035N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1+:¥22.4
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
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